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2021年12月29日 C-Power 220s电驱系统采用第三代半导体材料碳化硅，碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，基于碳化硅的解决方案可使系统效率更高、
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南车时代电气设备（天津）有限公司. Ordinary thyristors and ordinary rectifiersIGBT, IGCTS and supporting FRDS, silicon carbide devices, power components, medium voltage drive
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2013年7月29日 株洲南车时代电气股份有限公司 建成碳化硅电力电子器件核心芯片的生产线，形成年产 1 万片 4 英寸 （可扩充到 6 英寸 ）碳化硅芯片的生产能力；建成双极型烧结
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2016年6月3日 中国最早介入高功率IGBT 生产、封装并使用铝碳化硅基板的公司有原南车集团下属的 珠洲南车时代电器股份有限公司、原北车集团下属的西安永济新时速电机有限
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2018年2月2日 一块光碟大小的硅片上，整齐排列着128个指甲大小的芯片，这就是具有世界领先水平的IGBT芯 片。 IGBT，这种新型功率半导体器 件，对大多数人来说，还是一个
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2012年12月21日 21日从中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司（简称“南车时代电气”）获悉，该公司自主生产的800安培/3300伏、1200安培/3000伏两种轨道交通用高
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车规级SiC MOSFET芯片，具有高电流密度，低比导通电阻 ，高工作频率等特点，适用于新能源汽车、充电桩领域；高压SiC MOSFET芯片，芯片内置栅电阻，具有低开关损耗，高工作频率的特点，适用于轨道交通、电网领域。. 产品参数：. 击穿电压（V）. 1200-3300. 正向 ...
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2013年12月3日 公司介绍. 株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部（以下简称电力电子事业部）是南车时代电气下属的核心业务单元之一，专业从事大功率半导体器件的研发、制造与销售。. 电力电子事业部从1964年开始研发大功率半导体器件以来，走出了一条“研究
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2018年7月20日 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法. 本发明公开了一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法，包括：清洗碳化硅外延片；在所述碳化硅外延片上沉积第一层介质层；在所述第一层介质层上沉积第二层介质层；在所述第二层介质层上涂覆光刻胶，并光刻显影 ...
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2017年8月16日 作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅 (SiC)单晶材料具有禁带宽度大 (~Si的3倍)、热导率高 (~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高 (~Si的2.5倍)和击穿电场高 (~Si的10倍或GaAs的5倍)等性质。. SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工 ...
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2017年1月30日 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司评价单位：湖南省环境保护科学研究院二〇一三年八月株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心工业园公司厂内的预留用地，建设功率 ...
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2014年8月7日 创新的脚步还在继续，2011年，中国南车株洲所与中国科学院微电子研究所联合，组建新型电力电子器件联合研发中心，开展以碳化硅为基础材料的新型电力电子器件技术与产业化的研究，目前，中心已成功研制出样品，并组合封装成混合型IGBT模块。
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2013年9月13日 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司评价单位：湖南省环境保护科学研究院二〇一三年八月株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心 ...
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中央空调电气传动系统产品 矿山载运装备电驱产品系统解决方案 电能质量治理产品及系统解决方案 轧机传动变频产品及系统 ...
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2014年7月31日 该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。 据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。
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2021年1月3日 南车时代电气IGBT-VVVF牵引变流器 电机音复原 参照了奶咖二世的电机音，电机换成了洗衣机电机，电压75V，音效比之前的小电机好得多。时代电气变流器的调制方式特殊，很有特色, 视
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2014年7月31日 该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。 据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。
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2014年7月31日 该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。 据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。
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南车时代 电气设备（天津）有限公司 普通晶闸管及普通整流管IGBT，IGCTS及配套FRDS , 碳化硅器件，功率组件，中压传动变频器 ，软启动装置，无功补偿装置 时代电气顺利通过HXN5型内燃机车牵引变流器高 2022年8月4日 2021 年 12 月， 时代电气自主 ...
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2023年4月12日 在高功率电子封装方面，铝碳化硅以其独特的优势成为不可替代的材料。英飞凌采用铝碳化硅材料制作的IGBT底板，试验证明，经过上万次热循环，模块工作良好如初，焊层完好。在双碳目标与国产替代大背景下，符合时代特征的新材料将会进一步开发上场。
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2022年3月8日 时代电气 此前所在的轨交和电网在 IGBT 芯片市场占比分别为 4%和 5%，合计市场占比仅为 10%，公司切入新能源汽车、 工控和 新能源 发电等新领域之后，市场增长空间也大幅拓宽。. IGBT 需求集中汽车和工业领域，德美日等国具有市场垄断性优势：在 IGBT
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中车时代官网除了展示IGBT产品外，还有展示5款SiC肖特基（SICSBD产品），目前中车碳化硅的技术处于国际领先齐头并进的水平，相信在未来3-5年，SIC基材逐渐侵占Si基材份额的大趋势下，公司又将收获一枚业绩增长强驱动。
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2012年12月21日 两年后，中国南车又在英国成立功率半导体海外研发中心，形成近40人的专家团队，专注IGBT芯片、碳化硅等高端技术的研发与应用。同时，中国南车在株洲投入14亿，建设国内第一条8英寸的IGBT芯片生产基地。基地设计年生产8英寸芯片12万片
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2021年12月17日 南车时代是托 马 斯 和 他 的 V V V F 们的第4集视频，该合集共计14集，视频收藏或关注UP ... 深圳地铁一号线 1753时代碳化硅 牵引试验车实录 Horizon-红山 2569 0 5种阿尔斯通VVVF走
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本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法.本发明所提供的方法包括如下步骤:1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理;2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理.本发明的方法通过湿法氧化,超声及后处理等 ...
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